Vishay SiR418DP Type N-Channel MOSFET, 23 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR418DP-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 10,74

(excl. BTW)

€ 13,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 03 juni 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 90€ 1,074€ 10,74
100 - 240€ 1,012€ 10,12
250 - 490€ 0,913€ 9,13
500 - 990€ 0,878€ 8,78
1000 +€ 0,858€ 8,58

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
814-1275
Fabrikantnummer:
SIR418DP-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

23A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

SiR418DP

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

6mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

50nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

0.71V

Maximum Power Dissipation Pd

39W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

1.12mm

Width

5.26 mm

Length

6.25mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links