Vishay Si9407BDY Type P-Channel TrenchFET Power MOSFET, 4.7 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI9407BDY-T1-GE3

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 20 eenheden)*

€ 18,44

(excl. BTW)

€ 22,32

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Laatste voorraad RS
  • Laatste 1.340 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
20 - 80€ 0,922€ 18,44
100 - 180€ 0,70€ 14,00
200 - 480€ 0,645€ 12,90
500 - 980€ 0,507€ 10,14
1000 +€ 0,48€ 9,60

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
818-1444
Fabrikantnummer:
SI9407BDY-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

TrenchFET Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

4.7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SOIC

Series

Si9407BDY

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.12Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

8nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

-0.8V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Power Dissipation Pd

5W

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

4 mm

Height

1.55mm

Length

5mm

Standards/Approvals

IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links