Vishay Isolated TrenchFET 2 Type N-Channel Power MOSFET, 7.5 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 2500 eenheden)*

€ 847,50

(excl. BTW)

€ 1.025,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 17 augustus 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
2500 +€ 0,339€ 847,50

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
919-0281
Fabrikantnummer:
SI4214DDY-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

7.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

SOIC

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

19.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

150°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

14.5nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

2W

Maximum Operating Temperature

-55°C

Transistor Configuration

Isolated

Standards/Approvals

No

Width

4 mm

Length

5mm

Height

1.5mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN

Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links