Vishay Isolated TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET, 6.5 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC

Bekijk alle MOSFETs
Momenteel niet beschikbaar
We weten niet of dit item nog op voorraad komt, RS is van plan dit binnenkort uit ons assortiment te halen.
RS-stocknr.:
919-4195
Fabrikantnummer:
SI4946BEY-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

6.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

TrenchFET

Package Type

SOIC

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

52mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

3.7W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

17nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Transistor Configuration

Isolated

Standards/Approvals

No

Width

4 mm

Height

1.55mm

Length

5mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
TW

Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links