Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRA00DP-T1-GE3

Momenteel niet beschikbaar
Sorry, we weten niet wanneer dit weer voorradig zal zijn.
RS-stocknr.:
919-4246
Fabrikantnummer:
SIRA00DP-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

SO-8

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.35mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-16V, +20V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

147nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.12mm

Width

5.26mm

Standards/Approvals

No

Length

6.25mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.