Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 2.775,00

(excl. BTW)

€ 3.357,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 13 juli 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 +€ 0,925€ 2.775,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
919-4246
Fabrikantnummer:
SIRA00DP-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

SO-8

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.35mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

147nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

5.26 mm

Length

6.25mm

Standards/Approvals

No

Height

1.12mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links