Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRA00DP-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 10,18

(excl. BTW)

€ 12,32

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 45 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 45€ 2,036€ 10,18
50 - 120€ 1,912€ 9,56
125 - 245€ 1,73€ 8,65
250 - 495€ 1,63€ 8,15
500 +€ 1,528€ 7,64

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
787-9367
Fabrikantnummer:
SIRA00DP-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

SO-8

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.35mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

147nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.25mm

Standards/Approvals

No

Height

1.12mm

Width

5.26 mm

Automotive Standard

No

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links