Vishay Isolated TrenchFET 2 Type N-Channel Power MOSFET, 20 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 1.395,00

(excl. BTW)

€ 1.689,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Laatste voorraad RS
  • Laatste 9.000 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 +€ 0,465€ 1.395,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
919-4334
Fabrikantnummer:
SI7288DP-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

20A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

SO-8

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

22mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

10nC

Minimum Operating Temperature

150°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

15.6W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Operating Temperature

-55°C

Height

1.07mm

Length

5.99mm

Width

5 mm

Standards/Approvals

No

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN

Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links