Vishay Isolated TrenchFET 2 Type N-Channel Power MOSFET, 20 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SI7288DP-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 4,62

(excl. BTW)

€ 5,59

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • 10.640 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 +€ 0,462€ 4,62

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
818-1390
Fabrikantnummer:
SI7288DP-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

20A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

SO-8

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

22mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

15.6W

Minimum Operating Temperature

150°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

10nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Operating Temperature

-55°C

Standards/Approvals

No

Length

5.99mm

Width

5 mm

Height

1.07mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN

Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links