Fabrikantnummer

IXYS HiperFET, Polar Type N-Channel MOSFET, 53 A, 800 V Enhancement, 4-Pin SOT-227

RS-stocknr.:: 168-4494
Fabrikantnummer:: IXFN60N80P
Fabrikant:: IXYS

IXYS HiperFET, Polar Type N-Channel MOSFET, 53 A, 800 V Enhancement, 4-Pin SOT-227

Subtotaal (1 tube van 10 eenheden)*

€ 418,04

(excl. BTW)

€ 505,83

(incl. BTW)

GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00

Tijdelijk niet op voorraad

Verzending 900 stuk(s) vanaf 25 november 2026
Plus verzending 300 stuk(s) vanaf 16 juni 2027
Plus verzending 600 stuk(s) vanaf 06 juli 2027

Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks	Per stuk	Per tube*
10 +	€ 41,804	€ 418,04

*prijsindicatie

RS-stocknr.:: 168-4494
Fabrikantnummer:: IXFN60N80P
Fabrikant:: IXYS

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en compliance

Productomschrijving

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	IXYS
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	53A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	800V
	Series	HiperFET, Polar
	Package Type	SOT-227
	Mount Type	Panel
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	140mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.5V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	250nC
	Maximum Power Dissipation Pd	1.04kW
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	38.23mm
	Height	9.6mm
	Standards/Approvals	No
	Width	25.42mm
	Automotive Standard	No

	Alles selecteren
	Merk IXYS
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 53A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 800V
	Series HiperFET, Polar
	Package Type SOT-227
	Mount Type Panel
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 140mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.5V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 250nC
	Maximum Power Dissipation Pd 1.04kW
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 38.23mm
	Height 9.6mm
	Standards/Approvals No
	Width 25.42mm
	Automotive Standard No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.