IXYS Type N-Channel MOSFET, 53 A, 800 V Enhancement, 4-Pin SOT-227

Subtotaal (1 tube van 10 eenheden)*

€ 367,91

(excl. BTW)

€ 445,17

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 380 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
10 +€ 36,791€ 367,91

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
168-4494
Fabrikantnummer:
IXFN60N80P
Fabrikant:
IXYS
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

IXYS

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

53A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Package Type

SOT-227

Mount Type

Panel

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

140mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Forward Voltage Vf

1.5V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

250nC

Maximum Power Dissipation Pd

1.04kW

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

38.23mm

Height

9.6mm

Width

25.42 mm

Automotive Standard

No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series


N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Gerelateerde Links