IXYS Type N-Channel MOSFET, 115 A, 300 V Enhancement, 4-Pin SOT-227

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 tube van 10 eenheden)*

€ 330,15

(excl. BTW)

€ 399,48

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 40 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
10 +€ 33,015€ 330,15

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
920-0748
Fabrikantnummer:
IXFN140N30P
Fabrikant:
IXYS
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

IXYS

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

115A

Maximum Drain Source Voltage Vds

300V

Package Type

SOT-227

Mount Type

Panel

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

24mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

700W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

185nC

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

38.2mm

Height

9.6mm

Width

25.07 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
US

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series


N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Gerelateerde Links