IXYS Type N-Channel MOSFET, 115 A, 200 V Enhancement, 4-Pin SOT-227

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 tube van 10 eenheden)*

€ 272,32

(excl. BTW)

€ 329,51

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 26 oktober 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
10 +€ 27,232€ 272,32

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
920-0735
Fabrikantnummer:
IXFN140N20P
Fabrikant:
IXYS
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

IXYS

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

115A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Package Type

SOT-227

Mount Type

Panel

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

18mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.5V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

240nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

680W

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

25.42 mm

Standards/Approvals

No

Length

38.23mm

Height

9.6mm

Automotive Standard

No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series


N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Gerelateerde Links