IXYS Polar HiPerFET Type N-Channel MOSFET, 200 A, 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-227

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 tube van 10 eenheden)*

€ 240,90

(excl. BTW)

€ 291,50

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 140 stuk(s) vanaf 29 december 2025
  • Plus verzending 670 stuk(s) vanaf 05 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
10 +€ 24,09€ 240,90

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
168-4576
Fabrikantnummer:
IXFN200N10P
Fabrikant:
IXYS
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

IXYS

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

200A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

Polar HiPerFET

Package Type

SOT-227

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

7.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

680W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

235nC

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

9.6mm

Length

38.23mm

Standards/Approvals

No

Width

25.07 mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
PH

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series


N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Gerelateerde Links