IXYS Type N-Channel MOSFET, 86 A, 300 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN102N30P

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 27,84

(excl. BTW)

€ 33,69

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 22 juni 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 1€ 27,84
2 - 4€ 26,45
5 +€ 25,06

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
193-464
Artikelnummer Distrelec:
302-53-358
Fabrikantnummer:
IXFN102N30P
Fabrikant:
IXYS
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

IXYS

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

86A

Maximum Drain Source Voltage Vds

300V

Package Type

SOT-227

Mount Type

Panel

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

33mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

224nC

Maximum Power Dissipation Pd

570W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

38.23mm

Height

9.6mm

Standards/Approvals

No

Width

25.42 mm

Automotive Standard

No

Distrelec Product Id

30253358

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series


N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Gerelateerde Links