Fabrikantnummer

IXYS HiperFET, Polar Type N-Channel MOSFET, 115 A, 200 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN140N20P

RS-stocknr.:: 193-616
Artikelnummer Distrelec:: 302-53-362
Fabrikantnummer:: IXFN140N20P
Fabrikant:: IXYS

IXYS HiperFET, Polar Type N-Channel MOSFET, 115 A, 200 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN140N20P

Bulkkorting beschikbaar

Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 31,73

(excl. BTW)

€ 38,39

(incl. BTW)

GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00

Tijdelijk niet op voorraad

Verzending vanaf 06 januari 2027

Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks	Per stuk
1 - 4	€ 31,73
5 +	€ 26,81

*prijsindicatie

RS-stocknr.:: 193-616
Artikelnummer Distrelec:: 302-53-362
Fabrikantnummer:: IXFN140N20P
Fabrikant:: IXYS

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en compliance

Productomschrijving

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	IXYS
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	115A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	200V
	Series	HiperFET, Polar
	Package Type	SOT-227
	Mount Type	Panel
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	18mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	240nC
	Maximum Power Dissipation Pd	680W
	Forward Voltage Vf	1.5V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	38.23mm
	Standards/Approvals	No
	Height	9.6mm
	Automotive Standard	No

	Alles selecteren
	Merk IXYS
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 115A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 200V
	Series HiperFET, Polar
	Package Type SOT-227
	Mount Type Panel
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 18mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 240nC
	Maximum Power Dissipation Pd 680W
	Forward Voltage Vf 1.5V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 38.23mm
	Standards/Approvals No
	Height 9.6mm
	Automotive Standard No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.