Infineon 1200 V 8 A Diode SiC Schottky 3-Pin TO-247 IDM08G120C5XTMA1

Bekijk deze categorie
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 16,56

(excl. BTW)

€ 20,04

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 1.120 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 5€ 3,312€ 16,56
10 - 20€ 2,786€ 13,93
25 - 45€ 2,582€ 12,91
50 - 120€ 2,416€ 12,08
125 +€ 2,252€ 11,26

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
222-4831
Fabrikantnummer:
IDM08G120C5XTMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Mount Type

Surface

Product Type

Diode

Package Type

TO-247

Maximum Continuous Forward Current If

8A

Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm

1200V

Series

5th Generation thinQ!TM

Diode Configuration

Silicon Carbide Schottky Diode

Rectifier Type

SiC Schottky

Pin Count

3

Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm

70A

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Forward Voltage Vf

2.85V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

JEDEC1)

Width

2.35 mm

Length

6.65mm

Height

10.4mm

Automotive Standard

No

The Infineon CoolSiC™ Schottky diode generation 5 1200 V, 8 A in a DPAK real2pin package, presents a leading edge technology for SiC Schottky Barrier diodes. The thin wafer technology, already introduced with G2, is now combined with a new merged pn junction improving diode surge current capabilities. The result is a series of products delivering market leading efficiency and more system reliability at an attractive cost point.

Best-in-class forward voltage (VF)

No reverse recovery charge

Mild positive temperature dependency of VF

Best-in-class surge current capability

Excellent thermal performance

Gerelateerde Links