Infineon 1200 V 10 A Diode SiC Schottky 3-Pin TO-247 IDW10G120C5BFKSA1

Bekijk deze categorie

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 9,55

(excl. BTW)

€ 11,556

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 282 stuk(s) vanaf 30 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 +€ 4,775€ 9,55

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
222-4834
Fabrikantnummer:
IDW10G120C5BFKSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

Diode

Mount Type

Surface

Package Type

TO-247

Maximum Continuous Forward Current If

10A

Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm

1200V

Series

5th Generation CoolSiCTM

Diode Configuration

Single

Rectifier Type

SiC Schottky

Pin Count

3

Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm

140A

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Forward Voltage Vf

2.3V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

21.1mm

Standards/Approvals

J-STD20 and JESD22

Width

5.21 mm

Length

16.13mm

Automotive Standard

No

The Infineon CoolSiC™ Schottky diode generation 5 1200 V, 10 A in a TO-247-3 package, presents a leading edge technology for SiC Schottky Barrier diodes. The thin wafer technology, already introduced with G2, is now combined with a new merged pn junction improving diode surge current capabilities. The result is a series of products delivering market leading efficiency and more system reliability at an attractive cost point.

Best-in-class forward voltage (VF)

No reverse recovery charge

Mild positive temperature dependency of VF

Best-in-class surge current capability

Excellent thermal performance

Gerelateerde Links