Infineon RF Bipolar Transistor, 120 mA NPN, 20 V, 3-Pin SOT-89

Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 rol van 1000 eenheden)*

€ 223,00

(excl. BTW)

€ 270,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 14 december 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
1000 - 1000€ 0,223€ 223,00
2000 - 4000€ 0,212€ 212,00
5000 +€ 0,199€ 199,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
260-5066
Fabrikantnummer:
BFQ19SH6327XTSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

RF Bipolar Transistor

Maximum DC Collector Current Idc

120mA

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

20V

Package Type

SOT-89

Mount Type

Surface

Transistor Configuration

NPN

Maximum Collector Base Voltage VCBO

20V

Transistor Polarity

NPN

Minimum DC Current Gain hFE

70

Maximum Emitter Base Voltage VEBO

3V

Maximum Power Dissipation Pd

1W

Maximum Transition Frequency ft

5.5GHz

Minimum Operating Temperature

-65°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Pin Count

3

Length

4mm

Height

1.5mm

Standards/Approvals

RoHS

Width

4.5mm

Series

BFQ

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon silicon bipolar RF transistor are suitable for low noise, low distortion broadband amplifiers in antenna and telecommunications systems.

Pb free package

For low noise, low distortion broadband amplifiers in antenna and telecommunications systems

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.