STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG Dual Gate IGBT, 84 A 650 V, 7-Pin HU3PAK, Surface Mount

Bekijk alle IGBTs

Subtotaal (1 rol van 600 eenheden)*

€ 1.426,80

(excl. BTW)

€ 1.726,20

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 05 mei 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
600 +€ 2,378€ 1.426,80

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
285-637
Fabrikantnummer:
STGHU30M65DF2AG
Fabrikant:
STMicroelectronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current

84 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Number of Transistors

1

Maximum Power Dissipation

441 W

Package Type

HU3PAK

Configuration

Dual Gate

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

7

This STMicroelectronics device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate fieldstop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and the short-circuit functionality is essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and the tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

Maximum junction temperature TJ = 175 °C
6 μs of minimum short circuit withstand time
Tight parameter distribution
Safer paralleling
Low thermal resistance
Soft and very fast recovery antiparallel diode
Excellent switching performance thanks to the extra driving kelvin pin

Gerelateerde Links