onsemi, Type N-Channel IGBT, 120 A 650 V, 3-Pin TO-3PN, Through Hole

Bekijk alle IGBTs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 tube van 30 eenheden)*

€ 106,05

(excl. BTW)

€ 128,31

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tekort aan aanbod
  • 180 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Onze huidige voorraad is beperkt en onze leveranciers verwachten tekorten.
Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
30 - 90€ 3,535€ 106,05
120 - 240€ 3,107€ 93,21
270 - 480€ 3,033€ 90,99
510 +€ 2,693€ 80,79

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
166-2181
Fabrikantnummer:
FGA60N65SMD
Fabrikant:
onsemi
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

onsemi

Maximum Continuous Collector Current Ic

120A

Product Type

IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

600W

Package Type

TO-3PN

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Switching Speed

140ns

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.5V

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Series

Field Stop

Automotive Standard

No

Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor


IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Gerelateerde Links