onsemi FGA40N65SMD, Type N-Channel IGBT, 40 A 650 V, 3-Pin TO-3PN, Through Hole

Bekijk alle IGBTs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 10,12

(excl. BTW)

€ 12,24

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending 26 stuk(s) vanaf 24 maart 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 18€ 5,06€ 10,12
20 +€ 4,36€ 8,72

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
864-8782
Fabrikantnummer:
FGA40N65SMD
Fabrikant:
onsemi
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

onsemi

Product Type

IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

40A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

349W

Package Type

TO-3PN

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.5V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Series

Field Stop

Automotive Standard

No

Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor


IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Gerelateerde Links