onsemi FGA40N65SMD IGBT, 40 A 650 V, 3-Pin TO-3PN, Through Hole

Bekijk alle IGBTs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 10,12

(excl. BTW)

€ 12,24

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Beperkte voorraad
  • 22 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
  • Plus verzending 6 stuk(s) vanaf 09 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 18€ 5,06€ 10,12
20 +€ 4,36€ 8,72

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
864-8782
Fabrikantnummer:
FGA40N65SMD
Fabrikant:
onsemi
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

onsemi

Maximum Continuous Collector Current

40 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

349 W

Package Type

TO-3PN

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Dimensions

16.2 x 5 x 20.1mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor



IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Gerelateerde Links