Infineon FS100R12KE3BOSA1 IGBT Module, 140 A 1200 V

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 218,42

(excl. BTW)

€ 264,29

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 06 december 2027
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 1€ 218,42
2 - 2€ 214,04
3 +€ 192,66

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
244-5861
Fabrikantnummer:
FS100R12KE3BOSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

140 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Number of Transistors

6

Maximum Power Dissipation

480 W

The infineon IGBT module the maximum rated collector emitter voltage is 1200 V and toatal power dissipation is 480 W, maximum gate threshold voltage is 6.5 V.

Internal isolation basic insulation (class 1, IEC 61140)
Gate-emitter peak voltage + /- 20 V
Maximum collector-emitter saturation voltage 2.15 V
Gate-emitter leakage current 400 nA

Gerelateerde Links