STMicroelectronics STGW30H60DFB, Type N-Channel Trench Gate Field Stop IGBT, 30 A 600 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Bekijk alle IGBTs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 5,64

(excl. BTW)

€ 6,82

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 102 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 8€ 2,82€ 5,64
10 - 18€ 2,69€ 5,38
20 - 48€ 2,41€ 4,82
50 - 98€ 2,165€ 4,33
100 +€ 2,065€ 4,13

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
860-7450
Fabrikantnummer:
STGW30H60DFB
Fabrikant:
STMicroelectronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

STMicroelectronics

Product Type

Trench Gate Field Stop IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

30A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

600V

Maximum Power Dissipation Pd

260W

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±20 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

15.75mm

Width

5.15 mm

Height

20.15mm

Series

HB

Automotive Standard

No

IGBT Discretes, STMicroelectronics


IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Gerelateerde Links

Recently viewed