IXYS Type N-Channel MOSFET, 72 A, 600 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN82N60P

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 45,17

(excl. BTW)

€ 54,66

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 2 stuk(s) klaar voor verzending
  • 99 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
  • Plus verzending 116 stuk(s) vanaf 05 januari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 1€ 45,17
2 - 4€ 43,82
5 +€ 42,91

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
194-130
Fabrikantnummer:
IXFN82N60P
Fabrikant:
IXYS
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

IXYS

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

72A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

SOT-227

Mount Type

Panel

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

75mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

1.04kW

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.5V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

240nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

25.07 mm

Standards/Approvals

No

Length

38.2mm

Height

9.6mm

Automotive Standard

No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series


N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Gerelateerde Links