IXYS HiperFET, Polar Type N-Channel MOSFET, 53 A, 800 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN60N80P
- RS-stocknr.:
- 194-350
- Artikelnummer Distrelec:
- 302-53-376
- Fabrikantnummer:
- IXFN60N80P
- Fabrikant:
- IXYS
Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkortingSubtotaal (1 eenheid)*
€ 50,57
(excl. BTW)
€ 61,19
(incl. BTW)
GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00
Tijdelijk niet op voorraad
- Verzending 900 stuk(s) vanaf 13 januari 2027
- Plus verzending 600 stuk(s) vanaf 20 januari 2027
- Plus verzending 300 stuk(s) vanaf 23 juni 2027
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk |
|---|---|
| 1 - 1 | € 50,57 |
| 2 - 4 | € 43,44 |
| 5 - 9 | € 42,30 |
| 10 - 19 | € 41,21 |
| 20 + | € 40,18 |
*prijsindicatie
- RS-stocknr.:
- 194-350
- Artikelnummer Distrelec:
- 302-53-376
- Fabrikantnummer:
- IXFN60N80P
- Fabrikant:
- IXYS
Specificaties
Datasheets
Wetgeving en compliance
Productomschrijving
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren | Attribuut | Waarde |
|---|---|---|
| Merk | IXYS | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 53A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Package Type | SOT-227 | |
| Series | HiperFET, Polar | |
| Mount Type | Panel | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 140mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 250nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.04kW | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 9.6mm | |
| Length | 38.23mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Alles selecteren | ||
|---|---|---|
Merk IXYS | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 53A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Package Type SOT-227 | ||
Series HiperFET, Polar | ||
Mount Type Panel | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 140mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 250nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.04kW | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 9.6mm | ||
Length 38.23mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS