IXYS HiperFET, Polar Type N-Channel MOSFET, 40 A, 600 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN48N60P

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 29,52

(excl. BTW)

€ 35,72

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 16 stuk(s) vanaf 16 februari 2026
  • Plus verzending 276 stuk(s) vanaf 23 februari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 4€ 29,52
5 +€ 24,24

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
194-473
Artikelnummer Distrelec:
302-53-375
Fabrikantnummer:
IXFN48N60P
Fabrikant:
IXYS
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

IXYS

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

40A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

HiperFET, Polar

Package Type

SOT-227

Mount Type

Panel

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

140mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

625W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

150nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

38.23mm

Width

25.42 mm

Standards/Approvals

No

Height

9.6mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
KR

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series


N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Gerelateerde Links