Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 137 A, 30 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3 IPD023N03LF2SATMA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 10,68

(excl. BTW)

€ 12,92

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 2.000 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 90€ 1,068€ 10,68
100 - 240€ 1,015€ 10,15
250 - 490€ 0,939€ 9,39
500 - 990€ 0,865€ 8,65
1000 +€ 0,833€ 8,33

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
349-427
Fabrikantnummer:
IPD023N03LF2SATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

137A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

OptiMOS

Package Type

PG-TO252-3

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.35mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

107W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

39nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The Infineon StrongIRFET 2 power MOSFET 30 V technology features a best in class RDS(on) of 2.3 mOhm in a DPAK package. This product addresses a broad range of applications from low to high switching frequency.

General purpose products

Excellent robustness

Broad availability at distributors

Standard packages and pin out

High manufacturing and supply standards

Gerelateerde Links