Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 99 A, 30 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3 IPD030N03LF2SATMA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 9,27

(excl. BTW)

€ 11,22

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 2.000 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 90€ 0,927€ 9,27
100 - 240€ 0,882€ 8,82
250 - 490€ 0,816€ 8,16
500 - 990€ 0,752€ 7,52
1000 +€ 0,723€ 7,23

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
349-429
Fabrikantnummer:
IPD030N03LF2SATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

99A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PG-TO252-3

Series

OptiMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.05mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

83W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

16nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56, RoHS

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The Infineon StrongIRFET 2 power MOSFET 30 V technology features a best in class RDS(on) of 3 mOhm in a DPAK package. This product addresses a broad range of applications from low to high switching frequency.

General purpose products

Excellent robustness

Broad availability at distributors

Standard packages and pin out

High manufacturing and supply standards

Gerelateerde Links