Infineon OptiMOS Type P-Channel MOSFET, 4.3 A, 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 7,53

(excl. BTW)

€ 9,11

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 2.420 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 40€ 0,753€ 7,53
50 - 90€ 0,637€ 6,37
100 - 240€ 0,592€ 5,92
250 - 990€ 0,578€ 5,78
1000 +€ 0,566€ 5,66

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
273-3008
Fabrikantnummer:
IPD40DP06NMATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

4.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

PG-TO252-3

Series

OptiMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

400mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6.7nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

19W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon P-channel MOSFETs in DPAK package represents the new technology targeted for battery management, load switch and reverse polarity protection applications. Its easy interface to MCU, fast switching as well as avalanche ruggedness makes it suit

Easy interface to MCU

Improved efficiency at low loads due to low Qg

Fast switching

Gerelateerde Links