Infineon OptiMOS Type P-Channel MOSFET, -16.4 A, 60 V Enhancement, 3-Pin PG-TO252-3

Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 6,68

(excl. BTW)

€ 8,08

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 2.360 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 40€ 0,668€ 6,68
50 - 90€ 0,565€ 5,65
100 - 240€ 0,526€ 5,26
250 - 990€ 0,515€ 5,15
1000 +€ 0,504€ 5,04

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
273-3012
Fabrikantnummer:
IPD900P06NMATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

-16.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

PG-TO252-3

Series

OptiMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

90mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

63W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

-27nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

DIN IEC 68-1: 55/175/56, RoHS, IEC61249-2-21

Automotive Standard

No

The Infineon P-channel MOSFETs in DPAK package represents the new technology targeted for battery management, load switch and reverse polarity protection applications. The main advantage of a P-channel device is the reduction of design complexity in mediu

Easy interface to MCU

Fast switching

Avalanche ruggedness

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.