Vishay SiR N channel-Channel MOSFET, 100 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiR512DP

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 2,24

(excl. BTW)

€ 2,71

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 18 december 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 2,24
10 - 24€ 1,46
25 - 99€ 0,80
100 - 499€ 0,79
500 +€ 0,78

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
735-131
Fabrikantnummer:
SiR512DP
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

N channel

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

PowerPAK SO-8

Series

SiR

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0045Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

41nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Power Dissipation Pd

96.2W

Forward Voltage Vf

100V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

6mm

Standards/Approvals

RoHS

Height

2mm

Length

7mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The Vishay N-Channel TrenchFET Gen V power MOSFET designed for efficient power management in AI server solutions and high-current applications. It delivers 100V drain-source voltage capability with a low on-resistance of 4.5 mΩ at 10V gate drive for minimal power loss.

00A continuous drain current at TC=25°C

96.2W power dissipation rating

-55°C to +150°C operating temperature range

Gerelateerde Links