Vishay SiR N channel-Channel MOSFET, 126 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiR510DP

Afbeelding representeert productcategorie

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 2,38

(excl. BTW)

€ 2,88

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 29 oktober 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 2,38
10 - 24€ 1,55
25 - 99€ 0,85
100 - 499€ 0,84
500 +€ 0,83

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
735-164
Fabrikantnummer:
SiR510DP
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

N channel

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

126A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

PowerPAK SO-8

Series

SiR

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0036Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

54nC

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Forward Voltage Vf

100V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

6mm

Length

7mm

Standards/Approvals

RoHS

Height

2mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The Vishay N-Channel MOSFET rated for 60V drain-source voltage, optimized for high-efficiency switching in AI power server DC/DC converters and synchronous rectification circuits. It achieves very low on-resistance of 1.7mΩ maximum at 10V gate drive for minimal conduction losses in high-current applications

94A continuous drain current at TA=25°C

54.3nC typical total gate charge for fast switching

-55°C to +175°C extended junction temperature range

Gerelateerde Links