Vishay SiR N channel-Channel MOSFET, 146 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiR580DP

Afbeelding representeert productcategorie

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 2,00

(excl. BTW)

€ 2,42

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 17 december 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 2,00
10 - 24€ 1,30
25 - 99€ 0,72
100 - 499€ 0,71
500 +€ 0,70

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
735-135
Fabrikantnummer:
SiR580DP
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

146A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

SiR

Package Type

PowerPAK SO-8

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0027Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

50.6nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Forward Voltage Vf

80V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

2mm

Length

7mm

Width

6mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The Vishay N-Channel power MOSFET rated for 80V drain-source voltage, Ideal for high-efficiency switching in AI power server and DC/DC converter applications. It delivers ultra-low on-resistance of 2.7mΩ maximum at 10V gate drive to minimize conduction losses under heavy loads.

146A continuous drain current at TC=25°C

76nC maximum total gate charge

-55°C to +150°C operating junction temperature

Gerelateerde Links