Vishay SI2324BDS N channel-Channel MOSFET, 1.9 A, 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2324BDS-T1-GE3

Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 rol van 1 eenheid)*

€ 0,29

(excl. BTW)

€ 0,35

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 19 juli 2027
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Rol(len)
Per rol
1 - 24€ 0,29
25 - 99€ 0,19
100 +€ 0,11

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
736-344
Fabrikantnummer:
SI2324BDS-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

1.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

SOT-23 (TO-236AB)

Series

SI2324BDS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.21Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

1.86nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

1.7W

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
IL
The Vishay N-Channel MOSFET designed to optimise power management applications, featuring a robust 100V drain-source voltage rating and enhanced thermal characteristics for efficient operation.

The high thermal resistance performance enhances reliability

Designed for LED backlighting and DC/DC converter applications

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.