Vishay SI N channel-Channel Single MOSFETs, 3.4 A, 80 V Enhancement Mode, 8-Pin P SIR580DP-T1-UE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 2,22

(excl. BTW)

€ 2,69

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 11 augustus 2027
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 2,22
10 - 99€ 1,43
100 - 499€ 0,97
500 - 999€ 0,82
1000 +€ 0,74

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
829-364
Fabrikantnummer:
SIR580DP-T1-UE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

N channel

Product Type

Single MOSFETs

Maximum Continuous Drain Current Id

3.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

SI

Package Type

P

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0192Ω

Channel Mode

Enhancement Mode

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

37.7nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.15mm

Width

5.15mm

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Height

1.04mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
DE
The Vishay high-performance N-Channel MOSFET designed for efficient power management. This Advanced component excels in roles requiring high levels of current handling and voltage regulation.

TrenchFET Gen V technology for superior efficiency

Low on-state resistance reduces power losses

Extensive testing for reliability, including UIS testing

Optimised for low R x Q figure-of-merit to enhance performance

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.