Microchip Half Bridge mSiC N channel-Channel SiC Power Module, 295 A, 3300 V Enhancement Mode MSCSM330AM07D3NG

Afbeelding representeert productcategorie

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 733,92

(excl. BTW)

€ 888,04

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 15 februari 2027
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 +€ 733,92

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
854-515
Fabrikantnummer:
MSCSM330AM07D3NG
Fabrikant:
Microchip
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Microchip

Channel Type

N channel

Product Type

SiC Power Module

Maximum Continuous Drain Current Id

295A

Maximum Drain Source Voltage Vds

3300V

Series

mSiC

Mount Type

Heatsink

Channel Mode

Enhancement Mode

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Power Dissipation Pd

1918W

Maximum Operating Temperature

175°C

Transistor Configuration

Half Bridge

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Microchip silicon carbide power module is a phase leg solution designed for high-voltage, high-current applications, leveraging Silicon Carbide technology for superior performance and reliability.

Features low RDS(on) for enhanced efficiency

Offers excellent thermal and power cycling reliability

Designed with a copper baseplate for improved heat dissipation

Incorporates a CTI600 plastic enclosure that promotes increased creepage and clearance

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.