Microchip Half Bridge mSiC N channel-Channel SiC Power Module, 295 A, 3300 V Enhancement Mode MSCSM330DUM07D3NG

Afbeelding representeert productcategorie

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 700,03

(excl. BTW)

€ 847,04

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 04 februari 2027
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 +€ 700,03

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
854-517
Fabrikantnummer:
MSCSM330DUM07D3NG
Fabrikant:
Microchip
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Microchip

Product Type

SiC Power Module

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

295A

Maximum Drain Source Voltage Vds

3300V

Series

mSiC

Mount Type

Heatsink

Channel Mode

Enhancement Mode

Maximum Power Dissipation Pd

1918W

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Transistor Configuration

Half Bridge

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Microchip silicon carbide power module designed for high-performance applications, delivering dual common source functionality with exceptional reliability under challenging conditions. This device effectively manages high voltage and current requirements.

Kelvin source simplifies gate drive, enhancing performance

Designed for high thermal performance with low junction-to-case thermal resistance

RoHS compliant, ensuring environmental safety

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.