Vishay SiR882BDP Type N-Channel MOSFET, 67.5 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiR882BDP-T1-RE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 11,42

(excl. BTW)

€ 13,82

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 24 augustus 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 90€ 1,142€ 11,42
100 - 240€ 1,109€ 11,09
250 - 490€ 1,051€ 10,51
500 - 990€ 1,007€ 10,07
1000 +€ 0,948€ 9,48

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
210-5007
Fabrikantnummer:
SiR882BDP-T1-RE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

67.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

SiR882BDP

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

6.9mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

83.3W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

54nC

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.25mm

Height

1.12mm

Width

5.26 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay N-Channel 100 V (D-S) MOSFET has PowerPAK SO-8 package type.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

Gerelateerde Links