Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel Power MOSFET, 4 A, 20 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI9933CDY-T1-GE3

Momenteel niet beschikbaar
Sorry, we weten niet wanneer dit weer voorradig zal zijn.
RS-stocknr.:
165-2751
Fabrikantnummer:
SI9933CDY-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Series

TrenchFET

Package Type

SOIC

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

58mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-50°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

17nC

Maximum Power Dissipation Pd

2W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-12V, +12V

Maximum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

Isolated

Length

5mm

Standards/Approvals

No

Width

4mm

Height

1.55mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN

Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.