Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel Power MOSFET, 4 A, 20 V Enhancement, 8-Pin SOIC

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 2500 eenheden)*

€ 550,00

(excl. BTW)

€ 675,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 24 augustus 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
2500 +€ 0,22€ 550,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
165-2751
Fabrikantnummer:
SI9933CDY-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Package Type

SOIC

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

58mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

150°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

17nC

Maximum Power Dissipation Pd

2W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

12 V

Transistor Configuration

Isolated

Width

4 mm

Height

1.55mm

Standards/Approvals

No

Length

5mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN

Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links