Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel Power MOSFET, 6.5 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC

Subtotaal (1 rol van 2500 eenheden)*

€ 1.057,50

(excl. BTW)

€ 1.280,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 2.500 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
2500 +€ 0,423€ 1.057,50

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
165-6282
Fabrikantnummer:
SI4909DY-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

6.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

SOIC

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

34mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

150°C

Maximum Power Dissipation Pd

3.2W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

41.5nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

-55°C

Transistor Configuration

Isolated

Standards/Approvals

No

Length

5mm

Width

4 mm

Height

1.55mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN

Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links