Vishay Siliconix Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET, 6 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SQS966ENW-T1_GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 25 eenheden)*

€ 17,425

(excl. BTW)

€ 21,075

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 27 juli 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
25 - 75€ 0,697€ 17,43
100 - 475€ 0,594€ 14,85
500 - 975€ 0,523€ 13,08
1000 +€ 0,454€ 11,35

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
178-3851
Fabrikantnummer:
SQS966ENW-T1_GE3
Fabrikant:
Vishay Siliconix
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay Siliconix

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPAK 1212

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

60mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

27.8W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

0.82V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

12.1nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Transistor Configuration

Dual

Width

3.15 mm

Standards/Approvals

No

Length

3.15mm

Height

1.07mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

AEC-Q101

Vrijgesteld

Land van herkomst:
CN
TrenchFET® power MOSFET

Gerelateerde Links