Vishay Siliconix Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET, 6 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SQS966ENW-T1_GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 25 eenheden)*

€ 24,10

(excl. BTW)

€ 29,15

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 15 maart 2027
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
25 - 75€ 0,964€ 24,10
100 - 475€ 0,822€ 20,55
500 - 975€ 0,723€ 18,08
1000 +€ 0,627€ 15,68

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
178-3851
Fabrikantnummer:
SQS966ENW-T1_GE3
Fabrikant:
Vishay Siliconix
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay Siliconix

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPAK 1212

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

60mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

0.82V

Maximum Power Dissipation Pd

27.8W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

12.1nC

Transistor Configuration

Dual

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Height

1.07mm

Length

3.15mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

AEC-Q101

Vrijgesteld

Land van herkomst:
CN
TrenchFET® power MOSFET

Gerelateerde Links