Vishay EF Type N-Channel Single MOSFETs, 8 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC SIHG11N80AEF-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 tube van 25 eenheden)*

€ 56,075

(excl. BTW)

€ 67,85

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 500 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
25 - 100€ 2,243€ 56,08
125 +€ 2,198€ 54,95

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
653-136
Fabrikantnummer:
SIHG11N80AEF-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

Single MOSFETs

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Package Type

TO-247AC

Series

EF

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.483Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

78W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

41nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

16.25mm

Width

20.70 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay Power MOSFET designed for high-voltage switching applications. It features a fast body diode, low figure-of-merit (FOM), and reduced effective capacitance for improved efficiency. Ideal for server, telecom, SMPS, and power factor correction supplies, it comes in a robust TO-247AC package.

Pb Free

Halogen free

RoHS compliant

Gerelateerde Links