Fabrikantnummer

Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET, 11 A, 45 V Enhancement, 4-Pin SO-8 SIJ150DP-T1-GE3

RS-stocknr.:: 200-6843
Fabrikantnummer:: SIJ150DP-T1-GE3
Fabrikant:: Vishay

Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET, 11 A, 45 V Enhancement, 4-Pin SO-8 SIJ150DP-T1-GE3

Bulkkorting beschikbaar

Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 verpakking van 25 eenheden)*

€ 34,425

(excl. BTW)

€ 41,65

(incl. BTW)

GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00

Tijdelijk niet op voorraad

Verzending vanaf 11 augustus 2027

Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks	Per stuk	Per verpakking*
25 - 100	€ 1,377	€ 34,43
125 - 225	€ 1,308	€ 32,70
250 - 600	€ 1,171	€ 29,28
625 - 1225	€ 1,102	€ 27,55
1250 +	€ 0,95	€ 23,75

*prijsindicatie

RS-stocknr.:: 200-6843
Fabrikantnummer:: SIJ150DP-T1-GE3
Fabrikant:: Vishay

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en compliance

Productomschrijving

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	11A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	45V
	Series	TrenchFET Gen IV
	Package Type	SO-8
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	4.1mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	65.7W
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	70nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	3.4mm
	Height	3.4mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	Alles selecteren
	Merk Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 11A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 45V
	Series TrenchFET Gen IV
	Package Type SO-8
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 4.1mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 65.7W
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 70nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 3.4mm
	Height 3.4mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Document- SIJ150DP-T1-GE3

The Vishay SIJ150DP-T1-GE3 is a N-channel 45V (D-S) MOSFET.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Very low Qg and Qoss reduce power loss and improve efficiency

Flexible leads provide resilience to mechanical stress

100 % Rg and UIS tested

Qgd/Qgs ratio < 1 optimizes switching characteristics

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.