Vishay E Type N-Channel MOSFET, 8 A, 850 V Enhancement, 3-Pin TO-252

Subtotaal (1 rol van 2000 eenheden)*

€ 1.374,00

(excl. BTW)

€ 1.662,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 11 mei 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
2000 +€ 0,687€ 1.374,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
228-2848
Fabrikantnummer:
SIHD11N80AE-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

850V

Package Type

TO-252

Series

E

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

450mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

78W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

28nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay E Series Power MOSFET reduced switching and conduction losses.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

Gerelateerde Links