Fabrikantnummer

Vishay Dual SiSF06DN 2 Type N-Channel MOSFET, 101 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISF06DN-T1-GE3

RS-stocknr.:: 204-7260
Fabrikantnummer:: SISF06DN-T1-GE3
Fabrikant:: Vishay

Vishay Dual SiSF06DN 2 Type N-Channel MOSFET, 101 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISF06DN-T1-GE3

Bulkkorting beschikbaar

Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 verpakking van 20 eenheden)*

€ 22,64

(excl. BTW)

€ 27,40

(incl. BTW)

GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00

Tijdelijk niet op voorraad

Verzending vanaf 29 juni 2027

Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks	Per stuk	Per verpakking*
20 - 80	€ 1,132	€ 22,64
100 - 180	€ 0,961	€ 19,22
200 - 480	€ 0,792	€ 15,84
500 - 980	€ 0,719	€ 14,38
1000 +	€ 0,702	€ 14,04

*prijsindicatie

RS-stocknr.:: 204-7260
Fabrikantnummer:: SISF06DN-T1-GE3
Fabrikant:: Vishay

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en compliance

Productomschrijving

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	101A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Series	SiSF06DN
	Package Type	PowerPAK 1212
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.0045Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	69.4W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	30nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Transistor Configuration	Dual
	Length	3.3mm
	Height	0.73mm
	Standards/Approvals	No
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

	Alles selecteren
	Merk Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 101A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Series SiSF06DN
	Package Type PowerPAK 1212
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0045Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 69.4W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 30nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Transistor Configuration Dual
	Length 3.3mm
	Height 0.73mm
	Standards/Approvals No
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

Datasheet - SISF06DN-T1-GE3

The Vishay Common Drain Dual N-Channel 30 V (S1-S2) MOSFET is an integrated common-drain n-channel MOSFETs in a compact and thermally enhanced package.

Very low source-to-source on resistance

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.