Vishay SiDR626LDP Type N-Channel MOSFET, 204 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 4.449,00

(excl. BTW)

€ 5.382,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 3.000 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 +€ 1,483€ 4.449,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
210-4956
Fabrikantnummer:
SiDR626LDP-T1-RE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

204A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SO-8

Series

SiDR626LDP

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.2mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

41nC

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

0.51mm

Length

5.9mm

Width

4.9 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay N-Channel 60 V (D-S) MOSFET has PowerPAK SO-8DC package type.

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

Top side cooling feature provides additional venue for thermal transfer

Gerelateerde Links