Vishay EF Type N-Channel MOSFET, 8.4 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SiHB186N60EF-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 18,60

(excl. BTW)

€ 22,50

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Laatste voorraad RS
  • Laatste 175 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 45€ 3,72€ 18,60
50 - 120€ 3,348€ 16,74
125 - 245€ 2,976€ 14,88
250 - 495€ 2,716€ 13,58
500 +€ 2,34€ 11,70

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
210-4975
Fabrikantnummer:
SiHB186N60EF-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

8.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

EF

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

168mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

156W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

21nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

14.61mm

Height

4.06mm

Width

9.65 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode has D2PAK (TO-263) package type.

4th generation E series technology

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

Reduced switching and conduction losses

Avalanche energy rated (UIS)

Gerelateerde Links