Vishay SiHD2N80AE Type N-Channel MOSFET, 2.9 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SIHD2N80AE-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 8,33

(excl. BTW)

€ 10,08

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Beperkte voorraad
  • Plus verzending 1.400 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 - 90€ 0,833€ 8,33
100 - 240€ 0,751€ 7,51
250 - 490€ 0,708€ 7,08
500 - 990€ 0,542€ 5,42
1000 +€ 0,505€ 5,05

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
188-4982
Fabrikantnummer:
SIHD2N80AE-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

2.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Series

SiHD2N80AE

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.9Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

7nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

62.5W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

2.25mm

Length

6.73mm

Standards/Approvals

No

Width

6.22 mm

Automotive Standard

No

Distrelec Product Id

304-38-847

E Series Power MOSFET.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Ciss)

Reduced switching and conduction losses

APPLICATIONS

Server and telecom power supplies

Switch mode power supplies (SMPS)

Power factor correction power supplies (PFC)

Gerelateerde Links