Fabrikantnummer

Vishay SiHD2N80AE Type N-Channel MOSFET, 2.9 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SIHD2N80AE-GE3

RS-stocknr.:: 188-4982
Artikelnummer Distrelec:: 304-38-847
Fabrikantnummer:: SIHD2N80AE-GE3
Fabrikant:: Vishay

Vishay SiHD2N80AE Type N-Channel MOSFET, 2.9 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SIHD2N80AE-GE3

Bulkkorting beschikbaar

Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 8,33

(excl. BTW)

€ 10,08

(incl. BTW)

GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00

Beperkte voorraad

1.400 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie

Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks	Per stuk	Per verpakking*
10 - 90	€ 0,833	€ 8,33
100 - 240	€ 0,751	€ 7,51
250 - 490	€ 0,708	€ 7,08
500 - 990	€ 0,542	€ 5,42
1000 +	€ 0,505	€ 5,05

*prijsindicatie

RS-stocknr.:: 188-4982
Artikelnummer Distrelec:: 304-38-847
Fabrikantnummer:: SIHD2N80AE-GE3
Fabrikant:: Vishay

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en compliance

Productomschrijving

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	2.9A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	800V
	Series	SiHD2N80AE
	Package Type	TO-252
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	2.9Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	7nC
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd	62.5W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	2.25mm
	Standards/Approvals	No
	Length	6.73mm
	Automotive Standard	No

	Alles selecteren
	Merk Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 2.9A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 800V
	Series SiHD2N80AE
	Package Type TO-252
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 2.9Ω
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 7nC
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd 62.5W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 2.25mm
	Standards/Approvals No
	Length 6.73mm
	Automotive Standard No

Datasheet SIHD2N80AE-GE3

E Series Power MOSFET.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Ciss)

Reduced switching and conduction losses

APPLICATIONS

Server and telecom power supplies

Switch mode power supplies (SMPS)

Power factor correction power supplies (PFC)

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.