Infineon 600V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 10 A, 600 V Enhancement, 5-Pin ThinPAK IPL60R365P7AUMA1

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 verpakking van 10 eenheden)*

€ 12,00

(excl. BTW)

€ 14,50

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 2.780 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
10 +€ 1,20€ 12,00

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
214-4400
Fabrikantnummer:
IPL60R365P7AUMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

10A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

ThinPAK

Series

600V CoolMOS P7

Mount Type

Surface

Pin Count

5

Maximum Drain Source Resistance Rds

365mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

46W

Minimum Operating Temperature

-40°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

13nC

Forward Voltage Vf

0.9V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.1mm

Width

8.1 mm

Length

8.1mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

This Infineon 600V Cool MOS P7 super junction MOSFET continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class RonxA and the inherently low gate charge (QG) of the Cool MOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency.

It has rugged body diode

Integrated RG reduces MOSFET oscillation sensitivity

Gerelateerde Links