Vishay N-Channel 100 V Type N-Channel MOSFET, 110 A, 100 V, 8-Pin SO-8 SIR5102DP-T1-RE3

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 17,37

(excl. BTW)

€ 21,02

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 5.990 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 45€ 3,474€ 17,37
50 - 120€ 3,302€ 16,51
125 - 245€ 2,78€ 13,90
250 - 495€ 2,608€ 13,04
500 +€ 2,432€ 12,16

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
225-9926
Fabrikantnummer:
SIR5102DP-T1-RE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

110A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

SO-8

Series

N-Channel 100 V

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

5.6mΩ

Maximum Power Dissipation Pd

6.25W

Forward Voltage Vf

1.1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

51nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

5.26mm

Length

6.25mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay Siliconix maintains Reliability data for Semiconductor Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

Gerelateerde Links