Vishay E Type N-Channel MOSFET, 8 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 2.271,00

(excl. BTW)

€ 2.748,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 12 november 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 +€ 0,757€ 2.271,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
210-4978
Fabrikantnummer:
SIHD11N80AE-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Series

E

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

391mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

78W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

28nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

2.2mm

Length

9.4mm

Automotive Standard

No

The Vishay E Series Power MOSFET has DPAK (TO-252) package type with single configuration.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Ciss)

Reduced switching and conduction losses

Ultra low gate charge (Qg)

Avalanche energy rated (UIS)

Integrated Zener diode ESD protection

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.