Vishay E Type N-Channel MOSFET, 8 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 2.283,00

(excl. BTW)

€ 2.763,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 11 mei 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 +€ 0,761€ 2.283,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
210-4978
Fabrikantnummer:
SIHD11N80AE-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Series

E

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

391mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

28nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

78W

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

6.4 mm

Standards/Approvals

No

Height

2.2mm

Length

9.4mm

Automotive Standard

No

The Vishay E Series Power MOSFET has DPAK (TO-252) package type with single configuration.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Ciss)

Reduced switching and conduction losses

Ultra low gate charge (Qg)

Avalanche energy rated (UIS)

Integrated Zener diode ESD protection

Gerelateerde Links